Пару дней назад на открытии выставки CITE 2018 (China Information Technology Expo) председатель совета директоров корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что с 11 апреля на новом предприятии дочерней компании Yangtze Memory Technology специалисты приступили к монтажу производственного оборудования для выпуска 3D NAND. Вскоре после монтажа и настройки линий завод приступит к производству многослойной флеш-памяти 3D NAND. Первой продукцией станет 32-слойная память «64G 3D NAND». Поскольку уточнений нет, будем считать, что Yangtze начнёт выпуск 64-Гбит памяти (выпуск 512 Гбит микросхем для начала производства в Китае выглядит маловероятным).
Многослойная память 3D NAND, которую начнёт выпускать Yangtze Memory, разработана в Китае. На очереди завершение разработки и запуск в производство 64-слойной памяти, что должно произойти уже в следующем году. У компании достаточно ресурсов, чтобы выдержать как график ввода в строй новых линий, так и для финансирования разработок. В последнем случае создавать «национальную» память 3D NAND компании Yangtze Memory Technology помогает компания Spansion, владеющая обширным пулом необходимых патентов.
Также на открытии выставки г-н Жао сообщил, что его компания готова в последующие пять лет вложить в расширение производства полупроводников 370 млрд юаней ($58,74 млрд). Всего же за 10 лет Tsinghua Unigroup планирует (и имеет для этого ресурсы) вложить в «китайские» чипы порядка $100 млрд. Выпуском полупроводников, кстати, дело не ограничится. Корпорация развивается по многим направлениям ИТ-деятельности. Например, в первой половине текущего года под эгидой Tsinghua Unigroup будет запущен облачный публичный сервис для бизнеса со стоимостью начальных вложений $1,9 млрд.
