Главная » Технологии » Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12-нм техпроцесса

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12-нм техпроцесса

Единственный в мире разработчик дискретных микросхем магниторезистивной памяти MRAM компания Everspin Technologies продолжает совершенствовать технологии производства. Сегодня Everspin и компания GlobalFoundries договорились вместе разработать технологию выпуска микросхем STT-MRAM с нормами 12 нм и транзисторами FinFET.

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12 нм техпроцесса

На счету компании Everspin свыше 650 патентов и приложений, связанных с памятью MRAM. Это память, запись в ячейку которой похожа на запись информации на магнитную пластину жёсткого диска. Только в случае микросхем каждая ячейка имеет свою (условно) магнитную головку. Пришедшая ей на смену память STT-MRAM на основе эффекта переноса спинового момента электрона работает с ещё меньшими энергетическими затратами, поскольку происходит с использованием меньших токов в режимах записи и чтения.

Первоначально память MRAM по заказам Everspin выпускала компания NXP на своём заводе в США. В 2014 году Everspin заключила договор о совместной работе с компанией GlobalFoundries. Вместе они начали разрабатывать техпроцессы производства дискретной и встроенной MRAM (STT-MRAM) с использованием более передовых техпроцессов.

Со временем на мощностях GlobalFoundries был налажен выпуск 40-нм и 28-нм чипов STT-MRAM (заканчивая новинкой ― 1-Гбит дискртеным чипом STT-MRAM), а также подготовлен техпроцесс 22FDX для интеграции массивов STT-MRAM в контроллеры с использованием 22-нм техпроцесса на пластинах FD-SOI. Новый договор Everspin и GlobalFoundries приведёт к переносу выпуска микросхем STT-MRAM на 12-нм техпроцесс.


Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12 нм техпроцесса

Память MRAM по быстродействию приближается к памяти SRAM и потенциально может заменить её в контроллерах для Интернета вещей. При этом она энергонезависимая и намного устойчивее к износу, чем обычная память NAND. Переход на 12-нм нормы позволит увеличить плотность записи MRAM, а это её главный недостаток.


Источник

О supergran

x

Check Also

Вывод изображений за край экрана

К сожалению, невозможно гарантировать, что телезрители смогут наблюдать кадры визуализированной для телевидения анимации от края ...

На какие преимущества казино стоит обратить внимание?

Как правило, преимущества используют для быстрого увеличения финансового капитала. Следует выделить про то, что все ...

Сумка или рюкзак — что выбрать?

Конечно, в хорошем чехле фотоаппарат будет защищен, но где же его хранить? Носить технику в ...

Кроссовки yeezy boost самые удобные для бега

В случае с беговыми кроссовками yeezy boost — каждая модель «заточена» под конкретные физиологические особенности. ...

Чем отличаются кроссовки для бега от обычных?

Чем отличаются кроссовки для бега от обычных? Чем отличаются кроссовки для бега от обычных кроссовок? ...