Главная » Технологии » Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12-нм техпроцесса

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12-нм техпроцесса

Единственный в мире разработчик дискретных микросхем магниторезистивной памяти MRAM компания Everspin Technologies продолжает совершенствовать технологии производства. Сегодня Everspin и компания GlobalFoundries договорились вместе разработать технологию выпуска микросхем STT-MRAM с нормами 12 нм и транзисторами FinFET.

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12 нм техпроцесса

На счету компании Everspin свыше 650 патентов и приложений, связанных с памятью MRAM. Это память, запись в ячейку которой похожа на запись информации на магнитную пластину жёсткого диска. Только в случае микросхем каждая ячейка имеет свою (условно) магнитную головку. Пришедшая ей на смену память STT-MRAM на основе эффекта переноса спинового момента электрона работает с ещё меньшими энергетическими затратами, поскольку происходит с использованием меньших токов в режимах записи и чтения.

Первоначально память MRAM по заказам Everspin выпускала компания NXP на своём заводе в США. В 2014 году Everspin заключила договор о совместной работе с компанией GlobalFoundries. Вместе они начали разрабатывать техпроцессы производства дискретной и встроенной MRAM (STT-MRAM) с использованием более передовых техпроцессов.

Со временем на мощностях GlobalFoundries был налажен выпуск 40-нм и 28-нм чипов STT-MRAM (заканчивая новинкой ― 1-Гбит дискртеным чипом STT-MRAM), а также подготовлен техпроцесс 22FDX для интеграции массивов STT-MRAM в контроллеры с использованием 22-нм техпроцесса на пластинах FD-SOI. Новый договор Everspin и GlobalFoundries приведёт к переносу выпуска микросхем STT-MRAM на 12-нм техпроцесс.


Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12 нм техпроцесса

Память MRAM по быстродействию приближается к памяти SRAM и потенциально может заменить её в контроллерах для Интернета вещей. При этом она энергонезависимая и намного устойчивее к износу, чем обычная память NAND. Переход на 12-нм нормы позволит увеличить плотность записи MRAM, а это её главный недостаток.


Источник

О supergran

x

Check Also

Игровая символика автомата Incredible Hulk

Игровая символика автомата Incredible Hulk Сразу необходимо отметить, что интерфейс игрового автомата IncredibleHulk оформлен в ...

VPN на ПК и иных устройствах и безопасная игра в казино

VPN на ПК и иных устройствах Если необходимо иметь доступ к закрытым сайтам, например, онлайн ...

Как придерживаться здорового питания, если большую часть времени мы проводим на работе?

Как придерживаться здорового питания, если большую часть времени мы проводим на работе? Если вы не ...

Обувь от известного бренда выгодно

Одежда и обувь Adidas Neo обладает ярким и эффектным характером. Все, кто знаком с продукцией ...

По каким критериям люди ищут себе партнеров?

Возрастной пунктик Здесь не идет речь о всякого рода сексуальных извращениях — вроде влечения молодых парней ...