Главная » Технологии » Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12-нм техпроцесса

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12-нм техпроцесса

Единственный в мире разработчик дискретных микросхем магниторезистивной памяти MRAM компания Everspin Technologies продолжает совершенствовать технологии производства. Сегодня Everspin и компания GlobalFoundries договорились вместе разработать технологию выпуска микросхем STT-MRAM с нормами 12 нм и транзисторами FinFET.

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12 нм техпроцесса

На счету компании Everspin свыше 650 патентов и приложений, связанных с памятью MRAM. Это память, запись в ячейку которой похожа на запись информации на магнитную пластину жёсткого диска. Только в случае микросхем каждая ячейка имеет свою (условно) магнитную головку. Пришедшая ей на смену память STT-MRAM на основе эффекта переноса спинового момента электрона работает с ещё меньшими энергетическими затратами, поскольку происходит с использованием меньших токов в режимах записи и чтения.

Первоначально память MRAM по заказам Everspin выпускала компания NXP на своём заводе в США. В 2014 году Everspin заключила договор о совместной работе с компанией GlobalFoundries. Вместе они начали разрабатывать техпроцессы производства дискретной и встроенной MRAM (STT-MRAM) с использованием более передовых техпроцессов.

Со временем на мощностях GlobalFoundries был налажен выпуск 40-нм и 28-нм чипов STT-MRAM (заканчивая новинкой ― 1-Гбит дискртеным чипом STT-MRAM), а также подготовлен техпроцесс 22FDX для интеграции массивов STT-MRAM в контроллеры с использованием 22-нм техпроцесса на пластинах FD-SOI. Новый договор Everspin и GlobalFoundries приведёт к переносу выпуска микросхем STT-MRAM на 12-нм техпроцесс.


Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12 нм техпроцесса

Память MRAM по быстродействию приближается к памяти SRAM и потенциально может заменить её в контроллерах для Интернета вещей. При этом она энергонезависимая и намного устойчивее к износу, чем обычная память NAND. Переход на 12-нм нормы позволит увеличить плотность записи MRAM, а это её главный недостаток.


Источник

О supergran

x

Check Also

Чтобы получить визу Франции вам понадобиться как следует подготовиться

Национальная виза во Францию также называется долгосрочной, так как предоставляет возможность находиться на территории страны ...

Хороший паллет деревянный всегда пригодится

Паллеты (или поддоны) – это деревянные конструкции, которые служат упаковочным материалом и позволяют в разы ...

Начать строительство теннисных кортов под ключ можно под разные цели

Каждый, кто когда-либо задавался целью спроектировать и построить теннисный комплекс, сталкивался с огромным количеством возникающих ...

Дом у моря давно уже не мечта, а реальность

Дом у моря – мечта или реальность? Наверняка многие из вас задумывались о том, чтобы ...

Профильная труба имеет свои особенности и сферы применения

Профильная труба — разновидность металлопроката, представляющая собой длинное полое изделие с прямоугольным, квадратным или овальным ...