Главная » Технологии » Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12-нм техпроцесса

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12-нм техпроцесса

Единственный в мире разработчик дискретных микросхем магниторезистивной памяти MRAM компания Everspin Technologies продолжает совершенствовать технологии производства. Сегодня Everspin и компания GlobalFoundries договорились вместе разработать технологию выпуска микросхем STT-MRAM с нормами 12 нм и транзисторами FinFET.

Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12 нм техпроцесса

На счету компании Everspin свыше 650 патентов и приложений, связанных с памятью MRAM. Это память, запись в ячейку которой похожа на запись информации на магнитную пластину жёсткого диска. Только в случае микросхем каждая ячейка имеет свою (условно) магнитную головку. Пришедшая ей на смену память STT-MRAM на основе эффекта переноса спинового момента электрона работает с ещё меньшими энергетическими затратами, поскольку происходит с использованием меньших токов в режимах записи и чтения.

Первоначально память MRAM по заказам Everspin выпускала компания NXP на своём заводе в США. В 2014 году Everspin заключила договор о совместной работе с компанией GlobalFoundries. Вместе они начали разрабатывать техпроцессы производства дискретной и встроенной MRAM (STT-MRAM) с использованием более передовых техпроцессов.

Со временем на мощностях GlobalFoundries был налажен выпуск 40-нм и 28-нм чипов STT-MRAM (заканчивая новинкой ― 1-Гбит дискртеным чипом STT-MRAM), а также подготовлен техпроцесс 22FDX для интеграции массивов STT-MRAM в контроллеры с использованием 22-нм техпроцесса на пластинах FD-SOI. Новый договор Everspin и GlobalFoundries приведёт к переносу выпуска микросхем STT-MRAM на 12-нм техпроцесс.


Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до 12 нм техпроцесса

Память MRAM по быстродействию приближается к памяти SRAM и потенциально может заменить её в контроллерах для Интернета вещей. При этом она энергонезависимая и намного устойчивее к износу, чем обычная память NAND. Переход на 12-нм нормы позволит увеличить плотность записи MRAM, а это её главный недостаток.


Источник

О supergran

x

Check Also

Решить задачу с грузоперевозками помогут решить профессионалы

Перегон автомобилей между странами дело хлопотное Далеко не все водители любят дальние поездки, когда по ...

Особенности погрузки спецтехникой и перевозки грузов

Уменьшенным вариантом крана являются лебедки. Эта машина уже не поднимает на верхние этажи огромные бетонные ...

Религия и магия, а так же приметы помогающие в быту

Энергия, связанная с религией, — это категория, извращающая божественный закон до конкретных проявлений нашего плотного мира. ...

Астрология, религия, магия

Астрология, религия, магия Хотелось бы коснуться вопроса о понятиях: астрология, религия, магия. На уровне высших ...

Правило индивидуальности при знакомстве с женщинами

Правило индивидуальности. Нестандартный, необычный, удивительный внешний вид – верное средство пленить сердце любой красавицы. Во ...