В основе сканеров для полупроводниковой литографии лежат мощные источники излучения на базе лазеров. От качества и мощности лазеров зависит производительность сканеров и масштаб технологических норм, которых можно достичь на данном этапе производства. Кое-что новое в этой области подготовила японская компания Gigaphoton.
В пятницу компания Gigaphoton сообщила о готовности поставлять клиентам две новые модели эксимерных лазеров ArF (193 нм) и KrF (248 нм). В первом случае речь идёт о модели GT66A для иммерсионной литографии (с погружением в жидкость), а во втором ― о модели G60K. Оба новых лазера обещают привнести новейшие технологии в литографическую печать полупроводников, что требуется для изготовления более быстрых и более плотных интегральных схем. В том числе для новейших направлений в виде искусственного интеллекта, Интернета вещей и сотовой связи 5-го поколения.
Новый иммерсионный лазер GT66A ArF оснащен новейшим оптическим модулем для уменьшения пространственной когерентности и улучшения однородности луча на поверхности для проекции. Лазер G60K KrF представляет собой ― впервые за последние 15 лет ― полностью изменённую модель. За счёт нового блока питания лазера его мощность повышена в 1,5 раза. Это означает, что скорость обработки кремниевых пластин сканерами с лазерами G60K можно будет ощутимо увеличить.
Одним из клиентов на лазеры ArF и KrF компании Gigaphoton является нидерландская компания ASML. Правда, для сканеров диапазона EUV компания ASML использует лазеры собственного производства. Для этого она в 2012 году купила американскую компанию Cymer. Тем самым источники EUV-излучения Gigaphoton так и не стали массовым продуктом для выпуска литографического оборудования для производства чипов. Компания ASML стала единственным поставщиком сканеров EUV, полностью вытолкнув из этой перегретой конкурентной ниши японские Nikon и Canon. Но это уже другая история.
