Вслед за публикацией превосходного по содержанию пресс-релиза о получении рекордной квартальной выручки южнокорейская компания SK Hynix официально сообщила о намерении построить ещё один полупроводниковый завод для производства памяти. Строительство начнётся ближе к концу текущего года вблизи штаб-квартиры компании в городе Ичхон. В строй новый завод обещает войти в октябре 2020 года. Правда, пока компания не уточняет, это предприятие будет выпускать память типа DRAM или NAND (3D NAND), но в принципе, это не важно. Линии современных заводов могут быть настроены как на выпуск одной продукции, так и другой.
Инвестиции в проект составят 3,5 трлн вон ($3,12 млрд). Площадь предприятия составит 53 000 м2. Завод получит увеличенную по площади «чистую» комнату, где происходят основные процессы по обработке кремниевых пластин. Новое оборудование, отмечают в SK Hynix, значительно больше по габаритам, чем старое. Это заставляет расширять площади чистых комнат. Например, сейчас происходит расширение чистой комнаты на заводе компании в Китае вблизи города Ухань. Несмотря на пожар на стройке в начале июня, чистая комната на этом предприятии будет закончена во второй половине текущего года.
Строительство нового завода в Ичхоне станет третьим крупномасштабным проектом SK Hynix по наращиванию производственных мощностей для выпуска памяти. Предыдущий завод в Ичхоне (M14) был введён в эксплуатацию в 2015 году. Кроме этого компания ведёт строительство предприятия в Чхонджу. После ввода нового завода в строй общий объём инвестиций в три этих проекта достигнет 46 трлн вон ($41,05 млрд). Это колоссальные вложения в экономику страны и, как можно надеяться, гарантия от дефицита памяти в будущем.
